三星4nm制程满负荷运转！过半产能已分配给HBM4

2026-09-09 · yixihe.com

据 综合 报道，由于 高带宽内存 （HBM）需求远超供应，三星 电子 已经将其4纳米制程的一半产能分配给内存芯片。 据悉，截至上个月，该公司4纳米芯片产能的50%已用于生产HBM4内存芯片，而目前4纳米制程已满负荷运转，其中50%至60%的产量用于生产HBM4基础裸片。 消息人士指出，三星 电子 韩国平泽工厂2号和3号园区生产4纳米到7纳米的芯片，用到S5和

据 综合 报道，由于 高带宽内存 （HBM）需求远超供应，三星 电子 已经将其4纳米制程的一半产能分配给内存芯片。

据悉，截至上个月，该公司4纳米芯片产能的50%已用于生产HBM4内存芯片，而目前4纳米制程已满负荷运转，其中50%至60%的产量用于生产HBM4基础裸片。

消息人士指出，三星 电子 韩国平泽工厂2号和3号园区生产4纳米到7纳米的芯片，用到S5和S6两条晶圆生产线。其中4纳米芯片的月产能为3万片，而用于生产HBM4的基础裸片目前占到1.5万片。

8月还有报道指出，三星 电子 正在考虑将2纳米制程应用于HBM基础裸片。三星可能改造其位于韩国器兴工业区的一条生产线，生产出来的2纳米HBM芯片可能专门供应给 英伟达 。

周一，韩国券商KB Securities在报告中指出，三星电子和 SK海力士 的存储 半导体 库存已降至不足10天的供应量，明年可用供应将明显不足。

人工智能 数据中心 的高需求是造成当前内存芯片严重供不应求的关键，目前三星电子、 SK海力士 以及 美光科技 都在加快扩产HBM芯片，但这也挤压了传统DRAM芯片的产能。

业内此前估计，三星电子和 SK海力士 当前的HBM月产能均在15万至20万片之间，而美光目标是在今年底达到10万片。

三家公司在HBM4芯片上采取的技术路线也略有不同，SK海力士选择将基础裸片外包给 台积电 ，并在初代HBM4使用成熟的1b工艺（10纳米级第五代DRAM制程工艺）先保良率。美光则在技术选择上相对谨慎，目前主要任务仍是产能爬坡。

相对而言，三星电子直接采用1c工艺（10纳米级第六代DRAM制程工艺），并自研4纳米基础裸片，方便与自家代工和封装工艺协同。业内估计，这种激进打法在良率保证的情况下，能够在今年下半年抢占市场更多的份额。